عام دو جہتی میکسین مواد کیا ہیں؟

ایم ایکس این ای ایس (دو جہتی منتقلی میٹل کاربائڈس اور نائٹرائڈس) کی ترکیب میں تخفیف کے عمل کا اندازہ کرنا ان کی نشوونما اور اطلاق کے لئے اہم ہے۔ تاہم ، اعلی پیداوار کے ساتھ بڑے ، عیب سے پاک میکسین فلیکس کی تیاری مشکل ہے۔ یہاں ، پاور سینٹرڈ ڈیلیمینیشن (پی ایف ڈی) کی حکمت عملی کا مظاہرہ کیا گیا ہے جو بار بار بارش اور ورٹیکس دوغلی کے عمل کے ذریعے بڑے TI3C2TX Mxene نانوشیٹس کی تباہی کی کارکردگی اور پیداوار کو بہتر بنا سکتا ہے۔ پروٹوکول کے مطابق ، TI3C2TX MXENE میں 20.4 ملی گرام ایم ایل -1 کی کولیڈیل حراستی ہوتی ہے ، جو پانچ پی ایف ڈی سائیکل کے بعد حاصل کی جاسکتی ہے ، اور بیس سطح کے نقائص سے پاک 61.2 ٪ TI3C2TX نانوشیٹ حاصل کیا جاتا ہے ، جو الٹرااسونک سٹرپنگ سے 6.4 گنا زیادہ ہے۔ . دونوں نانوتھین ڈیوائسز اور سیلف سپورٹ کرنے والی فلمیں بہترین برقی چالکتا (بالترتیب 1.8 این ایم موٹی monolayers اور 11 µm موٹی فلموں کے لئے تقریبا 25 25،000 اور 8260 s سینٹی میٹر -1) کی نمائش کرتی ہیں۔ ہائیڈروڈینیامک نقوش سے پتہ چلتا ہے کہ پی ایف ڈی کا طریقہ کار غیر منقولہ مواد کی سطح پر قینچ کے دباؤ کو مؤثر طریقے سے مرتکز کرسکتا ہے ، جس کے نتیجے میں نانوشیٹس کو چھین لیا جاتا ہے۔ پی ایف ڈی کے ذریعہ ترکیب کردہ بڑے میکسین نانوشیٹس بہترین برقی چالکتا اور برقی مقناطیسی شیلڈنگ کی نمائش کرتے ہیں (ہر یونٹ حجم میں شیلڈنگ کی کارکردگی: 35 419 ڈی بی سینٹی میٹر 2 جی -1)۔ لہذا ، پی ایف ڈی حکمت عملی بڑے علاقے اور اعلی پیداوار کے ساتھ اعلی کارکردگی کا واحد پرت میکسین نانوشیٹس تیار کرنے کا ایک موثر طریقہ فراہم کرتی ہے۔